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  • HVUα-2000J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    HVUα-2000J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ),經(jīng)過長時間的測試(1 ~1000 小時)并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION ),并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時間:2024-10-17    訪問量:2574    型號:HVUα-2000
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